هرگاه شار مغناطیسی ای که بسته ای می گذرد تغییر کند، نیروی محرکه ای در آن القا می شود که بزرگی نیروی محرکه القایی با آهنگ تغییر شار مغناطیسی متناسب است.
ε=−NΔΦΔt
1 علامت منفی در رابطه به خاطر رعایت قانون لنز می باشد.
2 هنگامی که آهنگ تغییر شار مغناطیسی ثابت بماند، نیروی محرکه القایی متوسط ε برابر نیروی محرکه ای لحظه ای بوده و با نماد ε نمایش می دهیم.
مقدار شدت جریان القا شده از رابطه زیر بدست می آید:
I=εR→I=−NRΔΦΔt
هر چه آهنگ تغییر شار مغناطیسی بیشتر باشد، نیروی محرکه القایی و در نتیجه جریان القایی تولید شده در مدار بیشتر خواهد بود.
هرگاه حلقه ای به هر وضعیتی که در یک میدان مغناطیسی قرار داشته باشد و شار عبوری از آن Φ باشد، اگر حلقه حول خطی که در سطح حلقه است 1800 دوران نماید، شار عبوری از آن −Φ می شود.
مثال
سیملوله ای با 500 دور در یک میدان مغناطیسی متغیر با زمان قرار گرفته است. مساحت مقطع سیملوله 25cm2 و آهنگ تغییر میدان 8×10−3Ts است. بیشینه نیروی محرکه القایی متوسط در سیملوله را محاسبه کنید.
N=500A=25×10−4m2ΔBΔt=8×10−3m2θ=0ε=?ε=−NAΔBΔtcosθ→ε=−500×25×10−4×8×10−3×cos0→ε=−0/01v=−10−2v